內存的維修技術

1、內存的2-2-3通常是什么意思

這些電腦硬件文章經常出現的參數就是在主板的BIOS里面關于內存參數的設置了。通常說的2-2-3按順序說的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP為RAS預充電時間，數值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延遲，數值越小越好；CL(CAS Latency)為CAS的延遲時間，這是縱向地址脈沖的反應時間，也是在一定頻率下衡量支持不同規(guī)范的內存的重要標志之一。

2、DDR-Ⅱ和現在的DDR內存有什么不同

DDR-II內存是相對于現在主流的DDR-I內存而言的，它們的工作時鐘預計將為400MHz或更高。主流內存市場將從現在的DDR-400產品直接過渡到DDR-II。目前DDR-II內存將采用0.13微米工藝，將來會過度到90納米，工作頻率也會超過800MHZ。

3、內存的雙通道技術和單通道有什么不同

什么是雙通道DDR技術呢？需要說明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一種可以讓2條D D R內存共同使用，數據并行傳輸的技術。雙通道DDR技術的優(yōu)勢在于，它可以讓內存帶寬在原來的基礎上增加一倍，這對于P 4處理器的好處可謂不言而喻。400M H z 前端總線的P 4 A處理器和主板傳輸數據的帶寬為3.2G B /s，而533 M Hz 前端總線的P4B處理器更是達到了4.3G B/s，而P4C處理器更是達到了800MHZ 前端總線從而需要6. 4 G的內存帶寬。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66規(guī)范外，根本沒有內存可以滿足處理器的需要，我們常用的DDR333本身僅具有2.7G B/s的帶寬。DDR400也只能提供3.2G /s的帶寬。也就是說，如果我們搭建雙通道DDR400的內存，理論上提供2倍DDR400的帶寬。將從而根本的解決了CPU和內存之間的瓶頸問題。

4、內存的單面與雙面，單Bank與雙Bank有什么不同

單面內存與雙面內存的區(qū)別在于單面內存的內存芯片都在同一面上，而雙面內存的內存芯片分布在兩面。而單Bank與雙Bank的區(qū)別就不同了。Bank從物理上理解為北橋芯片到內存的通道，通常每個通道為64bit。一塊主板的性能優(yōu)劣主要取決于它的芯片組。不同的芯片組所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片組支持4個Bank，而SiS的645系列芯片組則能支持6個Bank。如果主板只支持4個Bank，而我們卻用6個Bank的話，那多余的2個Bank就白白地浪費了。雙面不一定是雙Bank，也有可能是單Bank，這一點要注意。